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J-GLOBAL ID：201702287629025692   整理番号：17A1457786

第一原理計算法で計算した電気構造との関係とIrドープSnO_2電極の光電極触媒分解【Powered by NICT】

Relationship between the electric structures calculated by the first principles calculation method and the photoelectrocatalysis degradation of Ir-doped SnO₂ electrodes

著者 (7件)： Chen Zhijie (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China) ,  Zhang Shuai (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China) ,  Shao Yanqun (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China) ,  Zhou Shaoling (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China) ,  Wu Xinhua (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China) ,  Zhu Junqiu (School of Chemical Engineering and Materials Science, Quanzhou Normal University, Quanzhou, Fujian 362000, China) ,  Tang Dian (College of Materials Science and Engineering, Fuzhou University, Fuzhou, Fujian 350108, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 422  ページ： 891-899  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DSA型Ti/Ir_xSn_1 xO_2電極を熱分解法で調製した。第一原理計算は,ドーピング元素の効果と電子構造の間の関係およびTi/Ir_xSn_1 xO_2電極の光電気触媒(PEC)活性に及ぼす主要な酸化物へのその含有量を研究した。被覆の性能をXRD,XPS,LSVおよびEISを用いて特性化した。結果から,バンドギャップは,Ir含有量の増加と共に低下することを示した。不純物準位がバンドギャップ,光生成した電子と正孔の分離に貢献したで出現し,電極の伝導率と光触媒活性を改善した。しかし,Irの過剰含有量は電子と正孔の再結合を促進し,バンドギャップを減少させるであろう。Ir含有量は25%以上であったときは,酸化膜の禁止帯はdisappeareことができた。被覆の電気伝導率はさらに改善され,それは光生成キャリアを屠殺し,電極の光触媒活性を低下させた。に加えて,還元バンドギャップは光生成電子-正孔対の酸化還元能力を弱めることを示した。、Ti/Irで_xSn_1 xO_2電極のPEC活性は,主にIr_xSn_1 xO_2被覆の電子構造に及ぼすIr含有量の影響に依存した。我々の実験では,Ti/Ir_0.0625Sn_0Zn0.9375O O_2電極は良好なPEC特性を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光電極 ,  *イリジウム ,  X線回折 ,  *接触分解 ,  不純物準位 ,  キャラクタリゼーション ,  電子正孔対 ,  光生成 ,  酸化物 ,  *ドーピング ,  バンドギャップ ,  正孔 ,  被覆
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  *第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Ti/Ir_xSn_1 xO_2電極 ,  第一原理計算 ,  電子構造 ,  光電気触媒 ,  水処理

分類 (4件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光化学一般  (CB08010U) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  下水,廃水の化学的処理  (SC03050W)

タイトルに関連する用語 (6件)： 第一原理計算 ,  計算 ,  Ir ,  ドープ ,  光電極 ,  触媒分解