Yu H.L. について
Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, 215500 Jiangsu, China について
Jiang X.F. について
Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, 215500 Jiangsu, China について
Cai M.Q. について
School of Physics and Microelectronics Science, Hunan University, Changsha, Hunan 410082, China について
Feng J.F. について
Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, 215500 Jiangsu, China について
Chen X.S. について
State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Yang X.F. について
Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, 215500 Jiangsu, China について
Liu Y.S. について
Jiangsu Laboratory of Advanced Functional Materials, College of Physics and Electronic Engineering, Changshu Institute of Technology, Changshu, 215500 Jiangsu, China について
Liu Y.S. について
State Key Laboratory of Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China について
Chemical Physics Letters について
磁気的性質 について
形態 について
スピントロニクス について
折れ線 について
強磁性半導体 について
第一原理 について
基底状態 について
半導体 について
光電子デバイス について
強磁性金属 について
構造安定性 について
第一原理計算 について
ナノリボン について
C_2N h2Dナノリボン について
電子的性質 について
磁気的性質 について
第一原理法 について
原子・分子のクラスタ について
ジグザグ について
ナノリボン について
電子 について
磁気特性 について
エッジ について