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J-GLOBAL ID：201702287669157073   整理番号：17A1627523

Fe合金基板上に成長させた酸化グラフェン修飾されたZnOナノロッドの電界放出【Powered by NICT】

Field emission of graphene oxide decorated ZnO nanorods grown on Fe alloy substrates

著者 (6件)： Ding Jijun (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Ding Jijun (Department of Physics, Georgia Southern University, Statesboro, GA 30460, USA) ,  Chen Haixia (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Ma Li (Department of Physics, Georgia Southern University, Statesboro, GA 30460, USA) ,  Fu Haiwei (College of Science, Xi’an Shiyou University, Xi’an, Shaanxi 710065, China) ,  Wang Xiaojun (Department of Physics, Georgia Southern University, Statesboro, GA 30460, USA)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 729  ページ： 538-544  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン酸化物(GO)は,効率的な電界放出のためのFe合金基板上に成長させたZnOナノロッド(NR)の最表面に修飾した。冷電子放出素子として動作するGO修飾ZnO NRは3.12V/μmまでのターンオン電界E1.63V程度の低い/μmとしきい値電場Eを持つ優れた電界放出性能を示した。合金基板上に成長したZnO NRsは低い界面抵抗を持ち,電気伝導を高めることを意図している。ZnO GO界面のFe-ZnOと対応するFermi準位のSchottky接触は,強化された電流発光効率に寄与する。に加えて,いくつかのナノメートルスケールの鋭い突起はGOシートに形成された,GO自体は電界放出電流を改善する助けとも豊富なC-O-C酸素官能基を持っている。エミッタからの電界放出電流の直線Fowler-Nordheimプロットが得られ,装飾されたGOシートの有効仕事関数は1.5eV以下の値と勾配から計算した。最後に,GO修飾ZnO NRの電界放出機構を提案した。GO電界エミッタに基づいた実用的な電子源と最新の光電子デバイスの開発を助けるであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *合金 ,  発光 ,  仕事関数 ,  Fermi準位 ,  *電界放出 ,  電子源 ,  電流 ,  電場 ,  *鉄合金 ,  電気伝導 ,  *酸化亜鉛 ,  界面
準シソーラス用語： 電界エミッタ ,  *酸化亜鉛ナノロッド ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： グラフェン酸化物 ,  ZnOナノロッド ,  電界放出 ,  発光機構

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (6件)： Fe合金 ,  成長 ,  酸化グラフェン ,  修飾 ,  ZnOナノロッド ,  電界放出