文献

J-GLOBAL ID：201702287712289455   整理番号：17A1647942

RF MEMS電力センサを用いたDMTL移相器の解析【Powered by NICT】

Analysis of DMTL phase shifter using RF MEMS power sensor

著者 (3件)： Kanthamani S. (Department of ECE, Thiagarajar College of Engineering, Madurai) ,  Sindhuja N.M. Mary (Department of ECE, Kamaraj College of Engineering & Technology, Virudhunagar) ,  Priyanka R. (Department of ECE, Thiagarajar College of Engineering, Madurai)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： ICEDSS  ページ： 133-136  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抽象RF MEMS電力センサを用いたMEMS膜によって吸収された入力パワーを感知し,この測定は15GHzで必要な位相シフトを生成するために設計されたDMTL移相器の性能を改善した。DMTL移相器は等間隔を持つRF MEMSシャントスイッチの数とCPW伝送線路を負荷することにより設計され,電力センサにより感知された相分析は,DMTL移相器の特性の増強に寄与した。解析は単一スイッチを行って,28数RF MEMSスイッチのからなるDMTL移相器に拡張した。設計は平均光反射損失38dBと15G Hzで 0.5dB以下の挿入損失をもたらした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *センサ ,  位相シフト ,  *電力 ,  *移相器 ,  スイッチ ,  *MEMS ,  挿入損 ,  伝送線路
準シソーラス用語： *力センサ ,  *RF MEMS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 電力の計測法・機器  (AD07050J) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： RF ,  MEMS ,  力センサ ,  移相器 ,  解析