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J-GLOBAL ID：201702287731659242   整理番号：17A1344229

効率的なSiベース水分解光電陰極のための陰イオン設計された二硫化モリブデン薄膜における2次元から3次元への構造転移による劇的に増大した水素発生活性【Powered by NICT】

Drastically enhanced hydrogen evolution activity by 2D to 3D structural transition in anion-engineered molybdenum disulfide thin films for efficient Si-based water splitting photocathodes

著者 (11件)： Chang Kwon Ki (Department of Materials Science and Engineering, Research Institute of Advanced Materials, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Choi Seokhoon ,  Lee Joohee ,  Hong Kootak ,  Sohn Woonbae ,  Andoshe Dinsefa Mensur ,  Choi Kyoung Soon ,  Kim Younghye ,  Han Seungwu ,  Kim Soo Young ,  Jang Ho Won
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 5  号： 30  ページ： 15534-15542  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる硫黄/リン重量比をもつ[(NH_4)2MoS_4]溶液と粉末前駆体を用いて単純な熱分解法により移動可能と透明アニオン設計された二硫化モリブデン薄膜触媒を合成した。合成した硫黄をドープしたモリブデンリン化物(S:MoP)薄膜をMoS_2薄膜中のりん原子の導入による二次元van der Waals構造から三次元六方晶構造であった。安価で地球に豊富な元素から構成される,S:MoP薄膜触媒は,最も低い開始電位と平面p型Si光電陰極のための最高の光電流密度を提供することができた。密度汎関数理論計算は,S:MoP薄膜表面はMoS_2薄膜のそれよりも良好な水素を吸収することを示した。構造的に設計された薄膜触媒を電解質にp-Si光吸収体からの光発生電子の容易な移動を容易にする。MoS_2薄膜触媒のアニオン工学は,光電気化学水分解のための触媒活性を強化する効果的な方法である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 触媒活性 ,  触媒 ,  六方晶系 ,  *アニオン ,  電流密度 ,  硫黄 ,  *ケイ素 ,  前駆体 ,  *薄膜 ,  ドーピング ,  *光電陰極 ,  *水素 ,  リン化物
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  *水分解 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (12件)： Si ,  水分解 ,  光電陰極 ,  陰イオン ,  設計 ,  二硫化モリブデン ,  薄膜 ,  2次元 ,  3次元 ,  構造転移 ,  水素発生 ,  活性