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J-GLOBAL ID:201702287741318314   整理番号:17A0407297

ZnドープしたCuFe_2O_4薄膜の蒸着,特性化,磁気的および光学的性質【Powered by NICT】

Deposition, characterization, magnetic and optical properties of Zn doped CuFe2O4 thin films
著者 (5件):
資料名:
巻: 695  ページ: 1573-1582  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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組成式Cu_1 xZn_xFe_2O_4(x=0~0.0,0.2,0.4,0.6,0.8,および1.0)を有するナノ結晶ZnドープCuスピネルフェライト薄膜を,原料として銅,亜鉛および鉄金属の硝酸塩を用いた噴霧熱分解蒸着法によりガラス基板上に堆積した。堆積した薄膜は室温でのX線回折,赤外分光法,電界放出走査型電子顕微鏡,エネルギー分散スペクトル,原子間力顕微鏡,振動試料磁力計と紫外可視分光法によって特性化した。X線回折研究は,CuZnスピネルフェライト薄膜の単相立方晶スピネル構造の形成を明らかにした。微結晶サイズはDebye-Scherrerの式を用いて決定し,9 20nmの範囲であった。分光反射率計で測定した析出薄膜の厚さは267 247nmの範囲であった。FESEM法により調製した薄膜の表面形態は緻密な構造を示した。A FM画像の解析から堆積された薄膜の柱状構造を示した。磁気測定から,x=0~1.0を除いて,軟強磁性挙動を示した。本では反強磁性挙動を示した。飽和磁化,残留磁化,保磁力,初期透磁率と磁区サイズのような磁気パラメータはM Hループから得られた。薄膜試料の飽和磁化の値は0.6までの亜鉛と共に増加し,さらにx値に対して減少した。Zn含有量’x’の関数としての光学的性質は,薄膜の直接および間接的なバンドギャップを得るために調べた。直接および間接バンドギャップの値は0.8を除いて亜鉛含有量xと共に増加し,2.04からそれぞれ2.26eVと1.74 1 0.96eVまで変化した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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