文献

J-GLOBAL ID：201702287776125556   整理番号：17A1406244

Cu-Zn-Snプリカーサ膜と電着セレンを用いたCu₂ZnSnSe₄膜の作製と特性評価

著者 (4件)： 宮地亮太 (中部大) ,  田橋正浩 (中部大) ,  高橋誠 (中部大) ,  後藤英雄 (中部大)
資料名： 電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会講演論文集(CD-ROM)  (電気・電子・情報関係学会東海支部連合大会(CD-ROM))
巻： 2017  ページ： ROMBUNNO.Po1-7  発行年： 2017年08月28日 
JST資料番号： L1634B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  電着 ,  *スズ化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *化合物半導体 ,  *銅化合物 ,  *硫化物 ,  セレン ,  *薄膜 ,  *硫化ケステライト
準シソーラス用語： *CZTS ,  *プリカーサ薄膜 ,  電着セレン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Cu ,  Zn ,  Sn ,  プリカーサ ,  電着 ,  セレン ,  作製 ,  特性評価