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J-GLOBAL ID：201702287873004878   整理番号：17A1058060

フェムトと照射面積のナノ秒パルスレーザアブレーション依存性:金属と半導体における欠陥の役割【Powered by NICT】

Femto- and nanosecond pulse laser ablation dependence on irradiation area: The role of defects in metals and semiconductors

著者 (3件)： Naghilou Aida (University of Vienna, Department of Physical Chemistry, Waehringer Strasse 42, A-1090 Vienna, Austria) ,  Armbruster Oskar (University of Vienna, Department of Physical Chemistry, Waehringer Strasse 42, A-1090 Vienna, Austria) ,  Kautek Wolfgang (University of Vienna, Department of Physical Chemistry, Waehringer Strasse 42, A-1090 Vienna, Austria)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 418  号： PB  ページ： 487-490  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト及びナノ秒パルス幅で行った半導体級シリコン<111>とSAE304ステンレス鋼でのパルスレーザアブレーション実験。ビーム半径(1.6 100μm)と低密度欠陥(LDDs)の密度の依存性におけるしきい値フルエンスは材料とパルス持続時間の両方を決定した。実験結果は,ビーム半径とパルス数に及ぼす改質/アブレーション/損傷しきい値フルエンスの強い依存性を記述する最近の定量的モデルによって支持された。アブレーション機構のLDDsの重要性が確認されている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： パルス幅 ,  *ナノ秒 ,  *アブレーション ,  フルエンス ,  *レーザアブレーション ,  *半導体
準シソーラス用語： パルス数 ,  低密度 ,  *ナノ秒パルス ,  *パルスレーザアブレーション , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： レーザアブレーション ,  欠陥 ,  フェムト秒レーザ ,  ナノ秒レーザ ,  レーザ材料処理 ,  照射面積依存性

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 面積 ,  ナノ秒パルスレーザ ,  アブレーション ,  依存性 ,  欠陥 ,  役割