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J-GLOBAL ID:201702287919074090   整理番号:17A1722616

1080nmで発光するモノリシック受動モード同期多重量子井戸半導体レーザによる通信応用のための超低パルス-パルスタイミングジッタ【Powered by NICT】

Ultralow pulse-to-pulse timing jitter for telecommunication applications by a monolithic passively mode-locked multi quantum-well semiconductor laser emitting at 1080 nm
著者 (4件):
資料名:
巻: 2017  号: CLEO/Europe-EQEC  ページ:発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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新しい通信への応用における光データ伝送は,低パルス-パルスタイミングジッタ(TJ)GHz繰返し速度(RR)のピコ秒短光パルスを必要とする。今日ほとんど1.55μm付近の波長が使用されているが,イッテルビウムドープファイバ増幅器は,1050nm付近の波長で長距離データ伝送を可能にした。この波長領域への典型的なフォトニック透過率は10GHz,外部共振器(EC)周波数の高調波のRRで22psのパルス幅(PW)を供給する外部共振器を受けるモード同期(ML)多重量子井戸(MQW)半導体レーザにより示された,120fs(100Hzから100MHz)[1]の統合TJを得た。1070nmで発光するモノリシックMQW半導体レーザに関する初期研究が最近提案されている[2]。本研究では,40GHzのRRと55fsの非常に低いTJを持つ1080nmの波長でピコ秒短光パルスの安定な列を生成するモノリシック受動ML InGaAs MQWリッジ導波路レーザを示した。光パルスがGauss形であり,その幅は4.6psであることができる。ビームプロファイル解析は,梁アスペクト比0.71の効率的な単一モードファイバ結合のための可能にするGaussビーム形状を確認した。レーザを吸収体に利得部分長さ比0.1の[Fig.1]と長さ1mmの多段構造である。ファセットは切断される。パルス特性を広い範囲レーザ利得注入電流(GC)と吸収体逆バイアス電圧(RBV)で解析した。PWは自己相関器(AC)時間トレースへのガウス適合から得られた。TJはTJ_ptp=(Δf/f(2π RR~3))~0.5[3]によるRRとRR線幅(Δf)から計算できる。ビームプロファイル分析は近接場イメージング分析により行った。60X顕微鏡対物レンズとCCDカメラを用いて,均一なGauss型プロフィルを確認し,イチジクの右に表現された。1。アスペクト比0.71の水平および垂直軸にGauss適合によって得られた,効率的な単一モードファイバ結合のための優れたビームプロファイルを示した。1.8Vと2.0V,GC増加二選択吸収体逆バイアスのためのTJ電圧を図に描いた。2であった。最低TJは1.8VのRBVと410mAのGCで55fsであった。Lorentz適合( 3dB線幅1.43MHz)とGaussフィットで対応するAC微量対応するRRは4.6psのデコンボリューションPW,描かれたとしてにおけるイチジクインセットが得られた。2であった。運転パラメータの選択のためのカラーコード化TJ性能を図で表現した。3。高GCおよび低RBVで青色符号化によって示された領域は100fs以下のTJ値を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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光導波路,光ファイバ,繊維光学 
タイトルに関連する用語 (5件):
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