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J-GLOBAL ID:201702287921178563   整理番号:17A1721707

実効屈折率法を用いた太陽電池のためのブラックシリコンの光学モデリング【Powered by NICT】

Optical Modeling of Black Silicon for Solar Cells Using Effective Index Techniques
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 1556-1562  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2305A  ISSN: 2156-3381  CODEN: IJPEG8  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ブラックシリコンを形成するため,マイクロとナノスケールの両方の特徴を持つ表面テクスチャリングが太陽電池効率を改善するのに有望な方法である。このような表面の光学的モデリングは,精度と計算資源をバランスさせることが難しい。本研究では,半解析的モデル,有効屈折率法(EIT),これは有効媒質としてナノスケール組織化を表すために有限差分時間領域(FDTD)法を利用し,マイクロスケール構造にこれを適用し,伝達マトリックス法を用いてモデル化でき,光線追跡に開発した。は周期的およびランダム非ナノスケール集合組織を作製し,モデル化し,測定した反射率に対するいくつかの有効屈折率モデルの精度を解析した。モデルの限界を同定し,膜の整合性を研究した。半解析的方法はモデリングブラックシリコンのための他の有効媒質アプローチよりも良好に機能することが示され,モデル化マルチスケールテクスチャに適用可能であるが,有限差分時間領域(FDTD)のような完全数値法ではない。しかし,EIT手法は集合組織の反射防止性能の傾向を予測するが,実験と比較した場合,それは,依然として不正確である。また,全ての有効媒質アプローチと同様に,EITは散乱による光トラッピングを考慮していない。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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太陽電池 
タイトルに関連する用語 (4件):
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