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J-GLOBAL ID：201702288027356679   整理番号：17A0370195

中間バンド太陽電池における単一量子ドット層の寄与:静電容量解析【Powered by NICT】

Contribution of a single quantum dots layer in intermediate band solar cells: A capacitance analysis

著者 (4件)： Boustanji Hela (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Faculte des Sciences de Tunis, El Manar, 2092 Tunis, Tunisia) ,  Jaziri Sihem (Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee, Faculte des Sciences de Tunis, El Manar, 2092 Tunis, Tunisia) ,  Jaziri Sihem (Laboratoire de Physique des Materiaux, Faculte des Sciences de Bizerte, 7021 Zarzouna, Tunisia) ,  Lazzari Jean-Louis (Aix-Marseille Universite, CNRS, CINaM UMR 7325, Case 913, Campus de Luminy, 13288 Marseille cedex 09, France)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 159  ページ： 633-639  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs Schottkyダイオード中に埋め込まれた単一GaSb量子ドット層内の電荷蓄積の理論的モデルと数値解析を行った。GaSb自己集合量子ドット層を導入したGaAs系Schottky障壁構造の容量-電圧(C V)特性の解析的計算を与えた。Schottky障壁は,Poisson方程式を解析的に解くことに基づく異なるバイアス電圧領域で導出し,ドットサイズ分散の効果と量子ドットにおける正孔のFermi統計を含む。容量-電圧曲線の数値シミュレーションは高いキャリア濃度と印加電圧に量子ドット準位の飽和により生じることがプラトーを示した。これらの結果は,Hwangらによって行われた実験と良く一致した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 数値解析 ,  *静電容量 ,  Schottky障壁ダイオード ,  Poisson方程式 ,  *量子ドット ,  *太陽電池 ,  自己集合 ,  ヒ化ガリウム ,  帯電 ,  キャリア密度 ,  Schottky障壁 ,  正孔 ,  アンチモン化ガリウム
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  理論モデル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaSb/GaAs II型量子ドット ,  Schottkyダイオード ,  容量-電圧 ,  電荷蓄積 ,  中間バンド太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 中間バンド太陽電池 ,  単一量子ドット ,  静電容量 ,  解析