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J-GLOBAL ID:201702288049445513   整理番号:17A0570348

ゾルゲル法による窒化ニッケル薄膜の研究

Study of Nickel Nitride Thin Films Deposited by Sol-Gel Route
著者 (3件):
資料名:
巻: 70  号:ページ: 1097-1101  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0277A  ISSN: 0972-2815  CODEN: TIIMA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: インド (IND)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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これまでの数十年の間,光学,電子などの応用分野に役立った窒化物薄膜は蒸気堆積技術によって開発されてきた。一方,ゾルゲル法による薄膜形成技術は,繊維や皮膜の形成ではわずかな実績があるだけであるが,それが可能であれば,新しく興味ある窒化物薄膜を形成できる可能性がある。そこで本研究では,磁気記録デバイスへの適用を目的に,窒化ニッケル膜を合成するためのゾルゲル法による溶液相ルートを提示した。制御された量のアミンの使用はゾルを生じた。これをスピンコーティング法により銅基板上に被覆し,熱分解して窒化ニッケルを得た。アニール温度は薄膜の相形成と結晶化度の両方に強い影響を及ぼした。X線回折計によって薄膜の構造的性質と粒子サイズを決定した。振動試料磁力計を用いて磁気的特徴づけを行なった。走査型電子顕微鏡を用いて表面モルフォロジを調べた。その結果,抗磁力(Hc)と磁化率は,それぞれ62Oe,23emu/ccであった。などの知見を得た。
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分類 (3件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造  ,  塩  ,  その他の無機化合物の磁性 
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