文献

J-GLOBAL ID：201702288067178724   整理番号：17A0169186

4H-SIC化学機械研磨効果に及ぼす酸化剤濃度の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of oxidant concentration on 4H-SiC chemical mechanical polishing result

著者 (3件)： Gao Fei (The 46th Research Institude, CETC) ,  Li Hui (The 46th Research Institude, CETC) ,  Xu Yongkuan (The 46th Research Institude, CETC)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 47  号： 10  ページ： 10189-10192  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 4H-SIC(0001)面を研究対象として、原子間力顕微鏡とX線光電子分光法を用いて研磨ウエハ表面の形態と成分を研究し、酸化剤濃度がSIC化学機械研磨の除去率及びミクロ形態に与える影響を検討した。結果によると、化学機械研磨過程において、SICウエハの表面はシリカを生成し、スラリー中の酸化剤の濃度は直接にSICの酸化プロセスに影響し、酸化剤の濃度を増加すると、研磨の除去率が著しく向上し、酸化剤の濃度が0.15MOL/Lの場合には、酸化率が低下する。研磨速度は約1200NM/Hに達し,その結果,表面粗さはRNMに達し,表面粗さはRNMであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 原子間力顕微鏡 ,  二酸化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  スラリー ,  *研磨 ,  *酸化 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： 研磨速度 ,  除去率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： silicon carbide (SiC) ,  chemical mechanical polishing (CMP) ,  oxidant concentration ,  atomic step structure

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 化学機械研磨 ,  酸化剤