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J-GLOBAL ID：201702288080034112   整理番号：17A1181612

電子-フォノン結合が存在する場合の単層窒化ホウ素グラフェン状構造の電子特性,電子熱容量と磁化率【Powered by NICT】

The electronic properties, electronic heat capacity and magnetic susceptibility of monolayer boron nitride graphene-like structure in the presence of electron-phonon coupling

著者 (1件)： Yarmohammadi Mohsen (Young Researchers and Elite Club, Kermanshah Branch, Islamic Azad University, Kermanshah, Iran)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 253  ページ： 57-62  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,窒化ホウ素グラフェン状シートに対する電子-フォノン(e ph)結合と化学ポテンシャルの影響を研究した。特に,Green関数技術,HolsteinHモデルを開始することにより,この系の状態密度(DOS),電子熱容量(EHC)と帯磁率(MS)の電子密度は電子自己エネルギーを見出すために実施されている自己無撞着二次摂動理論との関連で調べた。著者らの知見は,バンドギャップの大きさは電子-フォノン結合(化学ポテンシャル)パラメータを減少(増加)することを示した。Schottky異常(クロスオーバ)はe-phカップリングが増加するとすぐにEHC(MS)で減少した。Schottky異常を対応する温度はphカップリングによりかなり影響される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子密度 ,  *グラフェン ,  化学ポテンシャル ,  *電子-フォノン相互作用 ,  自己エネルギー ,  *電子比熱 ,  Green関数 ,  *単一層 ,  *磁化率 ,  状態密度 ,  *窒化ホウ素 ,  バンドギャップ ,  *フォノン
準シソーラス用語： クロスオーバー ,  Schottky異常 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： グラフェン ,  Holstein模型 ,  Green関数 ,  状態の密度 ,  電子熱容量 ,  磁化率

分類 (4件)： ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電子-フォノン結合 ,  単層 ,  窒化ホウ素 ,  グラフェン ,  電子 ,  電子熱容量 ,  磁化率