文献

J-GLOBAL ID：201702288147115014   整理番号：17A1578606

サンドイッチ構造ポリイミド/SiO2ナノ複合薄膜の電気的性質の研究【JST・京大機械翻訳】

Electrical Properties of Sandwich-structured PI/SiO2 Nano-composite Films

著者 (5件)： Wang Zhiqiang (哈爾浜理工大学 応用科学学院,哈爾浜,150080) ,  Yin Jinghua (哈爾浜理工大学 応用科学学院,哈爾浜 150080;哈爾浜理工大学 教育部工程電介質及其応用重点実験室,哈爾浜 150040) ,  Xia Xu (哈爾浜理工大学 応用科学学院,哈爾浜,150080) ,  Yao Lei (哈爾浜理工大学 応用科学学院,哈爾浜,150080) ,  Li Jialong (哈爾浜理工大学 応用科学学院,哈爾浜,150080)
資料名： Jueyuan Cailiao  (Jueyuan Cailiao)
号： 3  ページ： 23-27,31  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3879A  ISSN： 1009-9239  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： in situ重合法により,サンドイッチ構造をもつSiO2ナノ複合ポリイミド(PI)複合膜SiO2-PI/PI/SiO2-PIを調製した。透過型電子顕微鏡(TEM)、X線回折(XRD)、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて、SiO2ナノ粒子の分散状態および三層複合薄膜の断面構造を特性化し、三層構造複合薄膜の誘電特性、電気伝導率、コロナ抵抗性および電気強度などの電気性能を研究した。結果は以下を示した。SiO_2ナノ粒子は,ポリイミドマトリックス中に均一に分散し,三層複合膜は,明確な界面層を持っていることが示された,そして,それは,3つの層の間にあることを示している。SiO2ナノ粒子のドーピング量が20%の時、三層複合薄膜の耐コロナ老化時間が最も長く、それぞれ純PIと単層PI/SiO2複合薄膜の26倍と2倍であった。SiO_2ナノ粒子のドーピング量が15%の時に,三層複合膜の電気的強度は最大値(280.6kV/mm)に達した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  誘電性 ,  透過型電子顕微鏡 ,  電気伝導率 ,  X線回折 ,  *サンドイッチ構造 ,  太陽コロナ ,  走査電子顕微鏡 ,  *ナノ複合材料 ,  単一層 ,  複合膜 ,  電気特性 ,  ナノ粒子
準シソーラス用語： 界面層 ,  三層構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： polyimide ,  SiO2 ,  sandwich-structure ,  corona resistance ,  dielectric property

分類 (4件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  塩  (CD01050V) ,  コロイド化学一般  (CB11010C)

タイトルに関連する用語 (7件)： サンドイッチ構造 ,  ポリイミド ,  SiO2 ,  ナノ複合 ,  薄膜 ,  電気的性質 ,  研究