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J-GLOBAL ID：201702288147238141   整理番号：17A1340123

一つの放射線強化型低電圧線形安定器の開発【JST・京大機械翻訳】

Design of a radiation hardening Low Dropout Regulator

著者 (5件)： Yao Heping (西安微電子技術研究所集成電路設計事業部,陜西西安,710065) ,  Yang Lihong (西安微電子技術研究所集成電路設計事業部,陜西西安,710065) ,  Liu Zhi (西安微電子技術研究所集成電路設計事業部,陜西西安,710065) ,  Shi Yingxuan (西安微電子技術研究所集成電路設計事業部,陜西西安,710065) ,  Zhao Guangwei (西安微電子技術研究所集成電路設計事業部,陜西西安,710065)
資料名： Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao  (Tai Hezi Kexue Yudianzi Xinxi Xuebao)
巻： 15  号： 1  ページ： 134-138  発行年： 2017年 
JST資料番号： C3004A  ISSN： 2095-4980  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では,放射線強化型低電圧線形電圧レギュレータ(LDO)の回路設計を紹介し,内部標準精密源,誤差増幅器,出力調整管,および電気的リセット時間制御のようなモジュール回路を集積した。総線量と中性子効果によるデバイスパラメータの変化を予測する方法を重点的に紹介し、シミュレーションによる検証を行った。チップを0.6μm BiCMOSプロセスにより製造し,試験結果により,製品の要求を満たしながら,3×103Gy(Si)と0.6×1014ncm-2の抗中性子注入量を持ち,核放射環境に適していることを示した。放射試験の結果は設計の正しさを証明した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *安定器 ,  中性子 ,  注入量 ,  増幅器 ,  *放射線 ,  電圧調整器 ,  *線形性 ,  BiCMOS ,  回路設計 ,  時間制御
準シソーラス用語： 内部標準物質 ,  *低電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Low Dropout Regulators(LDO) ,  total ionizing dose radiation ,  neutron radiation

分類 (3件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  電力変換器  (NB08030B) ,  電源回路  (NC05060Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： 放射線 ,  強化 ,  低電圧 ,  線形 ,  安定器 ,  開発