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J-GLOBAL ID：201702288149809422   整理番号：17A1170244

ストレスを受けた無鉛(1 x)(K, Na)(Sb, Nb)O_3x(Bi, Na, K)ZrO_3薄膜における高い圧電性能と相転移【Powered by NICT】

High Piezoelectric Performance and Phase Transition in Stressed Lead-Free (1 - x)(K, Na)(Sb, Nb)O₃-x(Bi, Na, K)ZrO₃ Thin Films

著者 (8件)： Wang Yumei (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore, 138634, Singapore) ,  Wang Yumei (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, 9 Engineering Drive 1, Singapore, 117575, Singapore) ,  Yao Kui (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore, 138634, Singapore) ,  Qin Xian (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, Singapore, 117543, Singapore) ,  Mirshekarloo Meysam Sharifzadeh (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore, 138634, Singapore) ,  Liu Xiaogang (Institute of Materials Research and Engineering, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionopolis Way, Innovis, #08-03, Singapore, 138634, Singapore) ,  Liu Xiaogang (Department of Chemistry, National University of Singapore, 3 Science Drive 3, Singapore, 117543, Singapore) ,  Tay Francis Eng Hock (Department of Mechanical Engineering, National University of Singapore, 9 Engineering Drive 1, Singapore, 117575, Singapore)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 3  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201700033  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 複雑な組成のモルフォトロピック相境界(MPB)を構築することにより(K, Na)NbO_3ベースバルクセラミックで報告されている高性能圧電特性が,アルカリ成分の揮発性損失に起因する同じMPB組成を持つ薄膜の優れた圧電特性を達成することはまだ困難である。さらに,基板拘束による応力も膜の結晶構造を変化させ,膜のMPBをシフトした。本研究は(1 x)(K, Na)(Sb, Nb)O_3x(Bi, Na, K)ZrO_3(KNSN BNKZx,0.01≦x≦0.07)の組成を持つ溶液誘導無鉛圧電薄膜中のマクロスケール特性化184.0pMからV~ 1と電圧係数g_33 39.4mm VN~ 1の最高のこれまでに報告された実効圧電歪係数d_33を実証した。前駆体溶液中の適切な組合せ化学剤を選択することにより揮発性組成損失の効果的な抑制により,斜方晶系,菱面体晶から相転移正方晶には実験的に観察され,さらにKNSN BNKZx膜の第一原理シミュレーションを用いて理論的に解析し,x=0~0.05で菱面体晶-正方晶相の共存は,引っ張り応力を受けた膜の優れた圧電性能に寄与した。結果はストレス条件下での揮発性と複雑なMPB組成を持つ薄膜の高性能圧電特性を実現するための貴重な戦略を実証した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  相境界 ,  *薄膜 ,  第一原理 ,  電歪 ,  斜方晶系 ,  *圧電気 ,  揮発性 ,  三方晶系 ,  *相転移 ,  引張応力 ,  コンビナトリアルケミストリー ,  結晶構造 ,  正方晶系
準シソーラス用語： 圧電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 鉛フリー圧電体 ,  圧電薄膜 ,  相転移 ,  ナトリウムニオブ酸カリウム

分類 (2件)： 圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (8件)： ストレス ,  Na ,  Sb ,  Nb ,  Bi ,  薄膜 ,  圧電 ,  相転移