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J-GLOBAL ID:201702288162040512   整理番号:17A1174604

構造的,光学的バンドギャップ,ZnOナノ粒子の誘電および磁気的性質に及ぼすGdドーピングの効果【Powered by NICT】

Effect of Gd doping on the structural, optical band-gap, dielectric and magnetic properties of ZnO nanoparticles
著者 (2件):
資料名:
巻: 506  ページ: 145-151  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0676B  ISSN: 0921-4526  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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ナノ構造Zn1 Gd δ(0≦x≦0.02)粉末は,室温で構造的,光学的バンドギャップ,誘電および磁気的性質に及ぼすGdドーピングの効果を調べることを目的として燃焼反応法(CR)によって合成した。すべての試料の構造と形態をX線回折(XRD),および透過型電子顕微鏡(TEM)によって特性化した。すべての試料のXRDパターンは,擬似結晶相の証拠もなしにZnOの六方晶ウルツ鉱型構造のシャープで強いピークを示した。二峰性粒径分布を有するほぼ球状の形態と結晶化したナノ粒子は,ドープしていないおよびGdをドープしたZnO(x=0.02)~30~100と~70~160nmを中心であった。各試料の拡散反射スペクトルはUV/VIS/Near分光計を用いて得られ,光学バンドギャップ,E,値はGdドーピング濃度の増加とともに減少し~3.23であり,室温でそれぞれ0と0.02の~3.17eVであった。バンドギャップに及ぼすこの赤方偏移は伝導帯の下新しいバンドレベルの観点から考察した。また,すべての試料の誘電率データをCole-Coleモデルにより評価することができた。酸素空格子点(V_O)又は/及び格子間酸素(O ′′ i ̈)の欠陥の両方が,GdドープZnOの試料に存在することはは室温での誘電率において重要な役割を果たす。さらに,すべてのGdをドープしたZnO試料はROM温度で典型的な常磁性挙動を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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光物性一般  ,  半導体結晶の電子構造 

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