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J-GLOBAL ID：201702288264893051   整理番号：17A1712857

Bi_4M_3O_12(M=SiまたはGe)シンチレータの電子的および光学的特性への新しい洞察【Powered by NICT】

New insights into the electronic and optical properties of the Bi₄ M ₃O₁₂ (M = Si or Ge) scintillators

著者 (3件)： Sousa O.M. (Physics Department, Federal University of Sergipe, Sao Cristovao, Sergipe, Brazil) ,  Lima A.F. (Physics Department, Federal University of Sergipe, Sao Cristovao, Sergipe, Brazil) ,  Lalic M.V. (Physics Department, Federal University of Sergipe, Sao Cristovao, Sergipe, Brazil)
資料名： Optical Materials  (Optical Materials)
巻： 73  ページ： 642-646  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0468A  ISSN： 0925-3467  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ユーリタイト構造をもつBi_4Ge_3O_12(BGO)とBi_4Si_3O_12(BSO)化合物の電子的および光学的性質を密度汎関数理論(DFT)レベルでの第一原理計算の観点から再検討した。交換と相関(XC)効果はその半導体分散形でTran-Blaha修飾Becke-Johnson(TB mBJ)ポテンシャルにより記述されている。計算したバンドギャップは,直接反射率測定から得られた実験データと非常に良く一致し,偏光解析法を基に得られたデータと一致しなかった。計算した反射率スペクトルも低温実験データと非常に良く一致した。これらの事実は,現在のアプローチがどちらか一方あるいはこれらの特性の両方を正しく記述しない以前のDFT方法よりもよりうまくいくことを証明した。この観察に基づいて,ことを結論した(1)TB-mBJ XCポテンシャルを用いたDFT計算はBGOとBSO電子構造,その主な特徴を実証したを正しく記述(2)BGOとBSOバンドギャップはそれぞれ約5.0と5.4eVであるべきであるとその実験的光学吸収端は励起子効果によりマスクされ,反射率測定からの結論と一致すべきである。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 偏光解析法 ,  *光学的性質 ,  バンドギャップ ,  吸収端 ,  密度汎関数法 ,  計算 ,  *シンチレータ ,  励起子 ,  反射スペクトル ,  *ゲルマニウム ,  低温 ,  半導体 ,  電子構造
準シソーラス用語： 反射率測定 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： Ge ,  シンチレータ ,  電子 ,  光学的特性 ,  洞察