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J-GLOBAL ID：201702288273868731   整理番号：17A1139293

CVD法によるMoS₂単層膜の作製と硫黄アニールによる効果

著者 (4件)： 上原史也 (北大 大学院) ,  柳瀬隆 (北大 大学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-C16-5  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  *硫化モリブデン ,  *単一層 ,  雰囲気 ,  *焼なまし ,  化学量論 ,  化学組成 ,  *光ルミネセンス ,  空格子点 ,  *励起子 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  アルミナ ,  ケイ素 ,  *基板 ,  可視発光スペクトル
準シソーラス用語： *トリオン

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  励起子  (BM02120E)

タイトルに関連する用語 (6件)： CVD法 ,  MoS2 ,  単層膜 ,  作製 ,  硫黄 ,  アニール