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J-GLOBAL ID：201702288317794432   整理番号：17A0412370

Yb/ZnS/C Schottky障壁の設計と性能【Powered by NICT】

Design and performance of Yb/ZnS/C Schottky barriers

著者 (3件)： Khusayfan Najla M. (Physics Department, Faculty of Science - Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Al Garni S.E. (Physics Department, Faculty of Science - Al Faisaliah, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia) ,  Qasrawi A.F. (Department of Physics at AAUJ, Jenin, and at Group of Physics, Faculty of Engineering, Atilim University, 06836 Ankara, Turkey)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 1  ページ： 115-119  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ZnS薄膜は10~ 5mbarの真空圧力下でガラスと透明なイッテルビウム基板上に堆積した。ZnSの構造的,機械的,光学的,誘電的および電気的性能に及ぼすYb基板の影響を,エネルギー分散X線分析,X線回折,UV-VIS分光法,電流-電圧特性およびインピーダンス分光技術を用いて調べた。技術は,格子定数,結晶粒サイズ,方位,微小歪,転位密度,光学と励起子ギャップの程度,エネルギーバンドオフセットと誘電共鳴と分散を決定できた。ガラス/ZnSとYb/ZnSの(111)配向面はYbとZnSの間の2.06%の格子不整合と63%と51.6%の配向値の程度を示した。YbによるZnSのインタフェイスは,ZnSのエネルギーバンドギャップを縮小し0.50eV。一方,Yb/ZnS/C Schottky素子の電気的分析は,0.30Vのバイアス電圧で3.48×10~4の整流比を明らかにした。障壁高さと理想因子も決定した。さらに,インピーダンス分光分析は,Yb/ZnS/C装置である広範囲での同調バラクタ素子として使用するための非常に魅力的であることを示した。デバイスは,1337MHz以上のマイクロ波共振器として用いることができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 同調 ,  格子定数 ,  エネルギー散逸 ,  励起子 ,  電流電圧特性 ,  バンドギャップ ,  結晶粒径 ,  インピーダンス ,  X線回折 ,  格子不整合 ,  イッテルビウム ,  界面 ,  転位密度 ,  *硫化亜鉛
準シソーラス用語： バイアス電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ZnS ,  機械 ,  Yb界面 ,  光 ,  ギガヘルツ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： Yb ,  ZnS ,  Schottky障壁 ,  設計