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文献
J-GLOBAL ID:201702288338584281   整理番号:17A0964021

1MΩの開発量子H allアレイ抵抗標準【Powered by NICT】

Development of 1 $¥text{M} {¥Omega }$ Quantum Hall Array Resistance Standards
著者 (4件):
資料名:
巻: 66  号:ページ: 1475-1481  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0232A  ISSN: 0018-9456  CODEN: IEIMAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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GaAs/AlGaAs基板を持つ1MΩ量子H allアレイデバイスを作製し,評価した。1MΩ量子化H all抵抗アレイ素子は88H allバーから成り,その公称抵抗値は10~6(1 0.034×10~ 6)~Ωであった。10150/131この公称値の比は連分数展開法,量子化された抵抗値に及ぼす接触抵抗と配線抵抗の影響を最小化するための三重接合技術を採用したを用いて導出した。作製した1MΩ量子H allアレイデバイスは明確で平坦な=2と四つのプラトーと無視できるほど小さい縦方向抵抗を示した。は十分に低い配線抵抗と十分に高い絶縁抵抗と崩壊電流を持つ二次元電子ガスへの接触抵抗の所望の収率比を観測した。これらの結果は,1MΩ量子H allアレイデバイスの信頼性を強く支持した。アレイデバイスに基づく1MΩ巻線標準抵抗器の既存のキャリブレーションシステムの望ましい性能を確認した。は,この素子が高抵抗標準システムを改善し,精度低下させることなく電子ポンプからの小電流を容易に測定できる電圧にすることを可能にするであろうことを期待する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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