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J-GLOBAL ID：201702288341794799   整理番号：17A1776108

RFID応用における低電力時間領域温度センサのための供給感度解析【Powered by NICT】

Supply sensitivity analysis for low-power time-domain temperature sensor in RFID application

著者 (2件)： Tan Jun (IMMS Institut fuer Mikroeletronik - und Mechatronik-Systeme gemeinnuetzige GmbH Ilmenau, Germany) ,  Glaser Georg (IMMS Institut fuer Mikroeletronik - und Mechatronik-Systeme gemeinnuetzige GmbH Ilmenau, Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： RFID-TA  ページ： 196-201  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文ではRFIDセンサタグの低電力時間領域温度センサの感度を解析した。最近発表された温度センサの一般的なトポロジーを提案した。三時間領域温度センサトポロジー(「反転に基づくトポロジー」,「二バイアス源を用いたSC遅延セル」と「共通のバイアス源を用いたSC遅延セル」)はVerilog A供給感度解析これら三トポロジーのための実施を介してこの提案した共通構造でモデル化した。シミュレーションでは供給は±100mVのDC電源電圧変動による最初の掃引した。三トポロジーの中で最もロバストな設計である,トポロジー「ありふれたバイアス源を用いたSC遅延セル」はわずか0.0006°C/mVを達成した。この結果は,同じ定義シミュレーション条件における他の二トポロジーよりも50倍小さいであった。更なるAC解析で,このトポロジーは,10Hzから1MHzの周波数範囲で最大AC供給感度0.55°C/mVを示した。供給感度はRFID電力管理ブロックの仕様を与え,それは低ドロップアウトレギュレータ(LDO)の電源電圧変動除去(PSR)は 52dBの現実的な条件下で±1°Cの精度を達成する必要がある。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： バイアス ,  直流電源 ,  ロバスト性 ,  モデリング ,  *温度センサ ,  シミュレーション ,  位相幾何学 ,  電圧変動 ,  *感度解析 ,  *RFID ,  電力管理 ,  周波数
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  *時間領域 ,  *低電力化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： システム・制御理論一般  (IA02010H) ,  構造力学一般  (HD01000X) ,  CAD,CAM  (JE10000A)

タイトルに関連する用語 (6件)： RFID ,  応用 ,  低電力 ,  時間領域 ,  温度センサ ,  感度解析