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J-GLOBAL ID：201702288346775881   整理番号：17A1239899

高感度NO_2検出のための有機トランジスタにおけるUV-オゾン界面改質【Powered by NICT】

UV-Ozone Interfacial Modification in Organic Transistors for High-Sensitivity NO₂ Detection

著者 (13件)： Huang Wei (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, 610054, China) ,  Huang Wei (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Zhuang Xinming (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, 610054, China) ,  Melkonyan Ferdinand S. (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Wang Binghao (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Zeng Li (Department of Materials Science and Engineering and Applied Physics Program, Northwestern University, 2220 Campus Drive, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Wang Gang (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Han Shijiao (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, 610054, China) ,  Bedzyk Michael J. (Department of Materials Science and Engineering and Applied Physics Program, Northwestern University, 2220 Campus Drive, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Yu Junsheng (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China (UESTC), Chengdu, 610054, China) ,  Marks Tobin J. (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Facchetti Antonio (Department of Chemistry, Northwestern University, 2145 Sheridan Road, Evanston, IL, 60208, USA) ,  Facchetti Antonio (Flexterra Inc., 8025 Lamon Avenue, Skokie, IL, 60077, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 31  ページ： null  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単純,低コストUV-オゾン(UVO)処理した高分子ゲート誘電体をもつ銅フタロシアニン(CuPc)薄膜トランジスタ(TFT)に基づく二酸化窒素(NO_2)ガスセンサの新しいタイプを報告した。誘電体表面UVO処理とこれらのTFTのNO_2感度はUVO処理なしのものよりも[NO_2]=30ppmで約400×大きかった。重要なこと,感度は約UVO処理TFT[NO_2]=1ppmの50×大きく,≒400ppbの検出限界はこのセンシングプラットフォームを達成した。ゲート誘電体とCuPc膜の形態,微細構造および化学組成を,原子間力顕微鏡,すれすれ入射X線回折,X線光電子分光法およびFourier変換赤外分光法により分析し,増強したセンシング性能は誘電体表面のUVO派生ヒドロキシル化種とNO_2と誘電体/半導体成分間の化学反応から生じることを明らかにした。本研究では,誘電体/半導体界面工学が容易に製造可能な高性能TFTに基づくガスセンサに必須であることを示す。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 誘電体 ,  *界面 ,  原子間力顕微鏡 ,  薄膜トランジスタ ,  *高感度 ,  半導体 ,  二酸化窒素 ,  微細構造 ,  X線光電子分光法 ,  ガスセンサ ,  *オゾン ,  化学組成 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： すれすれ入射X線回折 ,  *有機FET , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 界面トラップ ,  二酸化窒素センサ ,  有機薄膜トランジスタ ,  UV-オゾン

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高感度 ,  有機トランジスタ ,  オゾン ,  界面 ,  改質