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J-GLOBAL ID：201702288459300689   整理番号：17A0400617

532nmレーザ照射によるAs_50Se_50薄膜における光黒化【Powered by NICT】

Photo darkening in As₅₀Se₅₀ thin films by 532nm laser irradiation

著者 (3件)： Naik Ramakanta (Physics Department, Utkal University, Bhubaneswar 751004, India) ,  Sripan C. (Physics Department, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India) ,  Ganesan R. (Physics Department, Indian Institute of Science, Bangalore 560012, India)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 90  ページ： 158-164  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： As_50Se_50カルコゲン化物薄膜における光黒化現象は532nmレーザ照射の影響の下で研究した。光吸収端を種々の時間間隔で照射と共に低エネルギー側にシフトした。膜の屈折率と吸収係数は,材料の透過スペクトルを解析することにより,前後曝露後,決定した。As_50Se_50薄膜の吸収係数の値は,レーザ照射膜の露光に減少した。屈折率の変化は,光スイッチングのための有用な候補材料である。異極結合が高エネルギー光子の吸収により破壊し,新しい等極結合を同時に形成される微視的モデルは,効果を記述するために使用されてきた。この場合光誘起効果は単極でスイッチング異極性化学結合が短いだけでなく層のスイッチング橋異極結合の付加的チャネルによるものであった。両プロセスは中範囲規則度のレベルで異常に配位した欠陥対とそれに伴う原子変位の形成と関連していた。X線光電子分光法(XPS)を結合における化学変化を調べるために使用した。提案したモデルは,XPSデータにより支持された。X線回折から明らかにされた膜は事実上純粋な非晶質であり,膜の組成はエネルギー分散X線分析から決定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 吸収端 ,  スイッチング ,  吸収係数 ,  光子 ,  X線回折 ,  極性 ,  *光黒化 ,  光交換 ,  X線光電子分光法 ,  屈折率 ,  *レーザ照射 ,  イオン結合
準シソーラス用語： 光誘起 ,  透過スペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Chalcogenides ,  光黒化 ,  光学的性質 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザ照射 ,  薄膜 ,  光黒化