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J-GLOBAL ID：201702288480499766   整理番号：17A1499329

高エネルギー光子Ba_0 5Sr_0 5TiO_3薄膜のFermi準位シフトを誘導する【Powered by NICT】

High energy photon induced Fermi-level shift of Ba_0.5Sr_0.5TiO₃ thin films

著者 (4件)： Barala Surendra Singh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur 342011, India) ,  Barala Surendra Singh (Defence Laboratory, Jodhpur 342011, India) ,  Bhati Vijendra Singh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur 342011, India) ,  Kumar Mahesh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Jodhpur, Jodhpur 342011, India)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 639  ページ： 107-112  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高エネルギー光子線量の関数としてBa_0 5Sr_0 5TiO_3(BST)薄膜の表面化学状態を研究した。BST薄膜をスパッタリング法によりSi基板上に堆積し,後照射は高エネルギー~60Coガンマ線照射を用いて行った。内殻準位とFermi準位スペクトルをX線光電子分光法により測定した。ガンマ線を照射したBST膜はFermi準位のシフトによるガンマ線量の増加と共にBa,Sr,Ti内殻準位のより高い結合エネルギーシフトを示した。Fermi準位は,元のに関して200kGyガンマ線照射したBSTに対して約1.1eVだけ伝導バンドにシフトした。X線回折ピークと表面粗さの半値幅の増加は,ガンマ線量の増加と共に観察された。ガンマ線量と静電容量の高い漏れ電流と減少は,Fermi準位のシフトと一致する高いキャリア濃度のさらなる証拠である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア密度 ,  γ線 ,  スパッタリング ,  内殻準位 ,  *Fermi準位 ,  結合エネルギー ,  *光子 ,  静電容量 ,  放射線量 ,  X線光電子スペクトル ,  伝導バンド ,  *薄膜 ,  漏れ電流 ,  X線光電子分光法 ,  γ線照射
準シソーラス用語： *高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ストロンチウムチタン酸バリウム ,  Fermi準位 ,  X線光電子分光法 ,  ガンマ線照射 ,  漏れ電流

分類 (3件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  表面の電子構造  (BM02080J) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高エネルギー ,  光子 ,  薄膜 ,  Fermi準位 ,  シフト ,  誘導