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J-GLOBAL ID：201702288538125086   整理番号：17A0547867

EFG成長したβ-Ga₂O₃結晶中の欠陥評価(1)-(<span style=text-decoration:overline>2</span>01)基板上のエッチピット列に対応する転位-

著者 (7件)： 上田修 (金沢工大) ,  池永訓昭 (金沢工大) ,  森林朋也 (佐賀大 大学院) ,  輿公祥 (タムラ製作所) ,  飯塚和幸 (タムラ製作所) ,  倉又朗人 (タムラ製作所) ,  嘉数誠 (佐賀大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-502-2  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ガリウム ,  結晶 ,  液相成長 ,  *格子欠陥 ,  *転位【結晶】 ,  滑り ,  エッチピット ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 半導体結晶 ,  EFG法 ,  *結晶欠陥 ,  転位すべり ,  TEM【顕微鏡】

分類 (3件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 成長 ,  β-Ga2O3 ,  結晶 ,  欠陥 ,  評価 ,  エッチピット ,  転位