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J-GLOBAL ID：201702288554867576   整理番号：17A1727312

トンネル漏れ機構のマルチサブバンドアンサンブルモンテカルロ研究【Powered by NICT】

Multi-subband ensemble Monte Carlo study of tunneling leakage mechanisms

著者 (9件)： Medina-Bailon C. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Sampedro C. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Padilla J.L. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Godoy A. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Donetti L. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Gamiz F. (Nanoelectronics Research Group, University of Granada, 18071 Granada, Spain) ,  Sadi T. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT Scotland, UK) ,  Georgiev V. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT Scotland, UK) ,  Asenov A. (School of Engineering, University of Glasgow, Glasgow G12 8LT Scotland, UK)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： SISPAD  ページ： 281-284  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタ構造の臨界寸法の減少は電気的挙動を記述するために標準的な閉じ込めは,先端デバイスシミュレータになるとは異なる量子効果を含めることを必須とする。特に,ソースから直接およびトラップ支援トンネリングを考慮したドレイン,バンド間トンネリングとゲート漏れ機構への直接トンネリングが特別な興味を持たれている。本研究では,完全空乏化シリコン-オン-インシュレータ(FDSOI)と多重サブバンド集団モンテカルロ(MS EMC)シミュレータを用いたFinFETデバイスにおけるこれらの機構の研究を提示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *モンテカルロ法 ,  量子効果 ,  トンネル効果 ,  シミュレータ ,  多重化 ,  トランジスタ
準シソーラス用語： FinFET ,  *サブバンド ,  FDSOI ,  直接トンネリング ,  デバイスシミュレータ ,  臨界寸法 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トンネル ,  研究