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J-GLOBAL ID：201702288621974868   整理番号：17A1046864

高度に{111}配向したビスマス-亜鉛-ニオブ酸塩薄膜の誘電性に及ぼす面内規則化の影響

Effect of in-plane ordering on dielectric properties of highly {111}-oriented bismuth-zinc-niobate thin films

著者 (9件)： LE FEBVRIER A. (Univ. de Rennes 1, Rennes, FRA) ,  LE FEBVRIER A. (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  DEPUTIER S. (Univ. de Rennes 1, Rennes, FRA) ,  DEMANGE V. (Univ. de Rennes 1, Rennes, FRA) ,  BOUQUET V. (Univ. de Rennes 1, Rennes, FRA) ,  GALCA A. C. (National Inst. of Materials Physics, Ilfov, ROM) ,  IUGA A. (National Inst. of Materials Physics, Ilfov, ROM) ,  PINTILIE L. (National Inst. of Materials Physics, Ilfov, ROM) ,  GUILLOUX-VIRY M. (Univ. de Rennes 1, Rennes, FRA)
資料名： Journal of Materials Science  (Journal of Materials Science)
巻： 52  号： 19  ページ： 11306-11313  発行年： 2017年10月 
JST資料番号： B0722A  ISSN： 0022-2461  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二つのPt被覆基板上にパルスレーザ蒸着でBi_1.5-xZn_0.92-yNb_1.5O_6.92-δ(BZN)の薄膜(厚み160nm)を成長させ誘電性を調べた。基板は{111}配向Pt/TiO₂/SiO₂/(100)Si基板(Pt/Si)とエピタキシャル{111}Pt/R面サファイア基板(Pt/Sf)である。いずれのBZN膜も{111}と{100}の面外方位からなり,その比率はPt/SiとPt/Sfでそれぞれ65/35と80/20であった。Pt/BZN/Pt平面キャパシタ構造を用いて両薄膜の誘電性を測定した。その結果,BZN/Pt/Sf膜はBZN/Pt/Si膜に比べ高い誘電率と高い可同調性を示し,誘電損失はほぼ同等であった。

シソーラス用語： *蒸着膜 ,  *結晶方位 ,  結晶面 ,  ビスマス化合物 ,  亜鉛化合物 ,  *ニオブ酸塩 ,  基板 ,  白金 ,  酸化チタン ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  エピタクシー ,  サファイア ,  誘電率 ,  同調 ,  誘電損失 ,  *誘電性
準シソーラス用語： 二酸化チタン ,  可同調性 ,  配向膜

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 配向 ,  ビスマス ,  亜鉛 ,  ニオブ酸塩 ,  薄膜 ,  誘電性 ,  規則化