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J-GLOBAL ID：201702288640251059   整理番号：17A0324971

高誘電率をもつスルホニル側鎖基を含むポリシロキサンへの容易な合成戦略【Powered by NICT】

A facile synthetic strategy to polysiloxanes containing sulfonyl side groups with high dielectric permittivity

著者 (3件)： Duenki Simon J. (Swiss Federal Laboratories for Materials Science and Technology Empa, Laboratory for Functional Polymers, UEberlandstr. 129, CH-8600, Duebendorf, Switzerland. [e-mail]) ,  Cuervo-Reyes Eduardo ,  Opris Dorina M.
資料名： Polymer Chemistry  (Polymer Chemistry)
巻： 8  号： 4  ページ： 715-724  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2349A  ISSN： 1759-9954  CODEN： PCOHC2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 横方向極性基をもつ重合体の化学修飾はガラス転移温度以上でそれらの誘電率を増加させ,その誘電エラストマアクチュエータのための魅力的な材料にしている。スルホニル基の大きな双極子モーメントにもかかわらず,高誘電率ポリシロキサンにおける置換基としての有用性はこれまで調べられていない。本研究では,このような目標,すなわち各反復単位でチオエーテル側鎖基を持つポリシロキサン中に存在するチオエーテル基の酸化及びチオール-エン化学によるスルホニル基を有するポリ(methylvinylsiloxanes)のビニル基の改質を得るために二後重合合成戦略検討した。原理的に両戦略が働くが,チオエーテル基の酸化はポリシロキサン鎖の望ましくない短縮をもたらした。対照的に,チオール-エン反応はクリーンで高効率的なプロセスにおける標的高分子を与えた。この理由のために,チオール-エン反応に使用される,二スルホニル含有チオールへのアクセスは,純粋な化合物として50g規模で入手可能な状態になっている程度に改善された。ポリシロキサンのスルホニル含有量を系統的にチオール-エン後重合改質,そのうちの1つはスルホニル基,他(ダミー)ブチル基を実施における二種類のチオールを用いて変化させた。合成した重合体を,NMR,DSC,TGA,GPC,及びインピーダンス分光法によって特性化した。全ての重合体は,室温以下にガラス転移温度を示した。室温での誘電率測定は,損失を最小限に抑えて周波数で高分子の誘電率は22.7まで約5から微調整できることを示した。安価な材料からの高い誘電率,低いガラス転移温度,および容易でスケーラブルな合成のために,これらの新しいポリマーは,アクチュエータ,キャパシタ,およびフレキシブルエレクトロニクスに使用する高誘電率エラストマのための魅力的な成分である。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *側鎖 ,  スルフィド ,  ガラス転移点 ,  *ポリシロキサン ,  キャラクタリゼーション ,  *誘電率 ,  双極子モーメント ,  後重合 ,  アクチュエータ ,  コンデンサ ,  チオール
準シソーラス用語： エラストマ ,  チオール-エン反応 ,  スルホニル基 ,  *高誘電率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 高分子固体の構造と形態学  (CG02022M) ,  高分子と低分子との反応  (CG03020L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高誘電率 ,  側鎖 ,  ポリシロキサン ,  戦略