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J-GLOBAL ID:201702288645143032   整理番号:17A1910999

誘起されたギャップ状態の観点からの表面と界面のデバイス物理学モデリング

Device Physics Modeling of Surfaces and Interfaces from an Induced Gap State Perspective
著者 (2件):
資料名:
巻: 42  号:ページ: 373-415  発行年: 2017年09月 
JST資料番号: A0248B  ISSN: 1040-8436  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 文献レビュー  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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半導体,絶縁体および金属の表面および界面を評価するための解析的なデバイス物理学モデルの定式化を概観した。そのために,誘起されたギャップ状態(IGS)の観点を採用し,静電的基礎とエネルギーバンド図と等価回路を利用した。IGSモデリングは表面または界面から生じたエバネセント状態に関連する固有の振る舞いによって金属(M),半導体(S),絶縁体(I)表面または界面の電子物性を説明することを目的とする。平衡IGSモデリングによるMS,SS,II,IS,MM,MIS界面の評価とMSとSS界面に対する非平衡IGSモデリングを概説した。
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-金属接触  ,  金属-絶縁体-半導体構造 

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