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J-GLOBAL ID：201702288656577571   整理番号：17A0665118

グラフェン酸化物担体ドーピングによる二層グラフェンのバンドギャップの開き【Powered by NICT】

Band gap opening of bilayer graphene by graphene oxide support doping

著者 (5件)： Tang Shaobin (Key Laboratory of Organo-Pharmaceutical Chemistry of Jiangxi Province, Gannan Normal University, Ganzhou 341000, China. [e-mail]) ,  Wu Weihua ,  Xie Xiaojun ,  Li Xiaokang ,  Gu Junjing
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 16  ページ： 9862-9871  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層及び二層グラフェン(SLGとBG)の零バンドギャップの特徴は,論理回路とフォトニックデバイスへの応用を制限している。異種原子または有機分子の吸着を置換,グラフェンの誘導体とBGの結合は,BGの電子的性質を改質する有望な方法を提供する。本研究では,第一原理計算に基づいて,高度に安定なグラフェン酸化物(GO)上に担持されたとしてかなりのバンドギャップはBGで生成される。この結果は,以前の研究によって明らかにされたGO上に担持されたSLGの残りの半金属挙動とは異なる。バンドギャップの広がりは245 261meVほどの大きさ値,GO基質の構造に依存するに達し,酸化種とそれらの原子配列を含んでいた。GO基板は主に単一エポキシドの存在を含むのでBGにおける効果的なp型ドーピングが誘起された。より重要なことは,担持されたBGにおける高キャリア移動度と大きいFermi速度は,GOとの弱い相互作用のために維持することができた。バンドギャップ開口はGOの間の電荷移動とその隣接グラフェン層,二層グラフェンの間に有意な化学ポテンシャル差が生じるに起因していた。このように,本研究は,高性能グラフェン系ナノデバイスの開発のための科学的基礎を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *バンドギャップ ,  化学ポテンシャル ,  半金属 ,  単一層 ,  有機化合物 ,  論理回路 ,  計算 ,  キャリア移動度 ,  *グラフェン ,  電荷移動 ,  *酸化
準シソーラス用語： ナノデバイス ,  第一原理計算 ,  ヘテロ原子 ,  *二層グラフェン ,  *酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン酸化物 ,  担体 ,  ドーピング ,  二層グラフェン ,  バンドギャップ