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J-GLOBAL ID：201702288664112388   整理番号：17A1649967

光ポンプテラヘルツプローブ分光法によるドーピングの研究【Powered by NICT】

Investigations of doping via optical pump terahertz-probe spectroscopy

著者 (11件)： Boland Jessica L. (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom) ,  Casadei A. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Tutuncouglu G. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Matteini F. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Davies C. (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom) ,  Gaveen F. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Amaduzzi F. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Joyce H.J. (University of Cambridge, Department of Engineering, 9 JJ Thomson Avenue, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom) ,  Herz L.M. (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom) ,  Fontcuberta i Morral A. (E ́cole Polytechnique Fe ́de ́rale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland) ,  Johnston Michael B. (Department of Physics, University of Oxford, Oxford, OX1 3PU, United Kingdom)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： IRMMW-THz  ページ： 1  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤにおける信頼性のあるドーピングは新しいオプトエレクトロニクス素子の開発に必須である。ナノワイヤ内のドーパントの取り込みは,重要な光電子特性の最適化を可能にし,電子移動度とキャリア寿命のような。,半導体ナノワイヤにおけるドーピング機構の詳細な特性化とナノワイヤのオプトエレクトロニクス特性に及ぼすそれらの影響は非常に重要である。しかし,従来の電気的方法によるドーパント濃度の抽出はナノワイヤ上に横方向接触を作製するに関連した課題のために困難である。本研究では,半導体ナノワイヤの外因性キャリア濃度とオプトエレクトロニクス特性を調べるための光ポンプテラヘルツプローブ分光法に基づく非接触技術を提示した。温度依存電荷キャリア動力学を抽出することにより,これらのナノ構造における電荷キャリア移動度に影響を及ぼすドーパント活性化エネルギーと基礎となる散乱機構は,テラヘルツ分光法を介して決定することができることを初めて示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： キャリア寿命 ,  オプトエレクトロニクス ,  温度依存性 ,  *ナノワイヤ ,  信頼性 ,  キャリア移動度 ,  電荷 ,  キャラクタリゼーション ,  キャリア密度 ,  ドーパント
準シソーラス用語： テラヘルツ分光法 ,  キャリア動力学 ,  電子移動度 ,  光電子デバイス ,  半導体ナノワイヤ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 分光法 ,  ドーピング ,  研究