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J-GLOBAL ID:201702288868405980   整理番号:17A0802913

グラフェン中の原子スケール点接触における量子化エッジモード

Quantized edge modes in atomic-scale point contacts in graphene
著者 (10件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 564-568  発行年: 2017年06月 
JST資料番号: W2059A  ISSN: 1748-3387  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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単一または数層グラフェンのジグザグエッジは完全な一次元導電体であり,一連の無ギャップ状態に従う。これらのジグザグエッジのパターン形成は,今まではそれらの局所熱力学と磁気的性質のために制限され,エッジトポロジーと電子-電子相互作用の競合効果により測定されていた。しかし,エッジ結合電気伝導の実験的特徴がまだ不明であり,それは主に低い構造的または化学的エッジ不規則性をもつグラファイト状ナノ構造の欠損のためであった。本稿では,高度配向熱分解グラファイトのナノ機械的剥離中に発生する単一と多層グラフェンの懸濁原子スケール狭窄中のエッジモード電気輸送の実験的検出を報告した。エッジモード輸送はG0=2e2/hの倍近い導電率をもつ量子化をもたらした。同時に,G0/2における導電率プラトーと非平衡輸送中の分裂零倍により,電子-電子相互作用の存在におけるスピン分極状態による導電率を示した。
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分類 (2件):
分類
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原子・分子のクラスタ  ,  半導体結晶の電気伝導 
タイトルに関連する用語 (5件):
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