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J-GLOBAL ID：201702288961385441   整理番号：17A1639016

接合レストンネル電界効果トランジスタの線形性と変形性能に及ぼすITCの影響【Powered by NICT】

Effect of ITC’s on linearity and distortion performance of Junctionless tunnel field effect transistor

著者 (4件)： Awadhiya Bhaskar (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Jabalpur, 482005, India) ,  Pandey Sunil (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Jabalpur, 482005, India) ,  Nigam Kaushal (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Jabalpur, 482005, India) ,  Kondekar Pravin N. (Nanoelectronics and VLSI Laboratory, Electronics and Communication Engineering Discipline, PDPM Indian Institute of Information Technology, Jabalpur, 482005, India)
資料名： Superlattices and Microstructures  (Superlattices and Microstructures)
巻： 111  ページ： 293-301  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0600B  ISSN： 0749-6036  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： JLTFETに及ぼす界面トラップ電荷の影響に関する広範な調査を提示した。著者らの研究の目的は,Si SiO_2界面間に存在する界面トラップ電荷の存在のため著者らのデバイスの性能の劣化を解析することである。ドレイン電流,相互コンダクタンス,高次相互コンダクタンス,直線性と歪パラメータ(VIP2,VIP3,IIP3,IMD3,零交差点,1dB圧縮点)に及ぼす界面トラップ電荷の効果を研究した。高直線性と低歪とがVIP2,VIP3,IIP3,,1dB圧縮点とIMD3の低値,零交差点,高次相互コンダクタンスパラメータの高い値を必要とする。著者らのシミュレーションにより,界面トラップ電荷の存在はデバイスの信頼性と寿命の短縮につながることを見出した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互コンダクタンス ,  界面 ,  *線形性 ,  零交差 ,  信頼性 ,  交差点
準シソーラス用語： IIP3 ,  高直線性 ,  ドレイン電流 ,  捕獲電荷 ,  *変形能 ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 3次インタセプト点(IIP3) ,  第3次相互変調歪(IMD3) ,  接合低トンネル電界効果トランジスタ(JLTFET) ,  界面トラップ電荷(ITC) ,  0交差点(ZCP)

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電子輸送の一般理論  (BM03020C)

タイトルに関連する用語 (5件)： レス ,  トンネル電界効果トランジスタ ,  線形性 ,  変形性能 ,  ITC