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J-GLOBAL ID：201702289019470078   整理番号：17A1772213

サブTHz検出のための高性能ヘテロ構造低障壁ダイオード【Powered by NICT】

High Performance Heterostructure Low Barrier Diodes for Sub-THz Detection

著者 (14件)： Nadar Salman (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Zaknoune Mohammed (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Wallart Xavier (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Coinon Christophe (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Peytavit Emilien (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Ducournau Guillaume (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France) ,  Gamand Florent (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Thirault Maxime (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Werquin Matthieu (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Jonniau Sylvain (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Thouvenin Nicolas (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Gaquiere Christophe (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Vellas Nicolas (MC2 Technologies, Sainghin en Me ́lantois, France) ,  Lampin Jean-Francois (Institute of Electronics Microelectronics and Nanotechnology, University of Lille, CNRS, Centrale Lille, ISEN, University of Valenciennes, UMR 8520 - IEMN, Villeneuve d’Ascq, France)
資料名： IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology  (IEEE Transactions on Terahertz Science and Technology)
巻： 7  号： 6  ページ： 780-788  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2304A  ISSN： 2156-342X  CODEN： ITTSBX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子整合AlGaInAs三角障壁に基づくヘテロ構造低障壁ダイオード(HLBD)を設計,作製し,零バイアスミリ波およびサブミリ波検出のための特性化した。異なる障壁高さと種々の活性面積を持つ検出器は,低レベル放射能検出のための最良の構造を決定するために測定した。1500~2000V/Wの不整合応答性は400~800Ωのビデオ耐性を持つ100GHz近傍で測定した。これらの低インピーダンスのおかげで6000と5200V/Wの高い整合応答性は25GHzの帯域幅で,それぞれ,90および180GHz近傍で実証した。約0.6と0.7pW/Hzの非常に低い雑音等価パワーは90と180GHzで推定した。は,これらの検出器のダイナミックレンジは六年以上であることを示した。この性能はHLBD低レベルサブTHz検出応用のための興味あるデバイスとなる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： サブミリ波 ,  EHF波 ,  ダイナミックレンジ ,  応答特性 ,  格子整合 ,  キャラクタリゼーション ,  帯域幅 ,  検出器 ,  *ダイオード ,  バイアス ,  雑音 ,  不整合
準シソーラス用語： 障壁高さ ,  ヒ化アルミニウムガリウムインジウム ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  変復調回路  (NC05050F)

タイトルに関連する用語 (5件)： サブ ,  高性能 ,  ヘテロ構造 ,  障壁 ,  ダイオード