文献

J-GLOBAL ID：201702289025354781   整理番号：17A1445772

アノードおよびカソードバッファ層としての溶液処理したHATCNとTPBiによるPDPP3T系有機Schottky接合の光電流の改善【Powered by NICT】

Improved photocurrent of PDPP3T based organic Schottky junctions via solution-processed HAT-CN and TPBi as anode and cathode buffer layers

著者 (10件)： Yang Fang (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Yang Fang (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Wang Chao (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Wang Chao (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Yu Jun Le (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Yu Jun Le (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Zheng Yan Qiong (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Wei Bin (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Li Xi Feng (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China) ,  Yang Xu Yong (Key Laboratory of Advanced Display and System Applications of Ministry of Education & Shanghai Engineering Research Center of Flat Panel Display, Shanghai University, 149 Yanchang Rd., Shanghai 200072, P.R. China)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 214  号： 9  ページ： ROMBUNNO.201700178  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [6,6] フェニル C61 酪酸 メチル エステル(PC_61BM)に混合した5wt.%の近赤外吸収ドナー材料ポリ(diketopyrrolopyrrole-テルチオフェン)(PDPP3T)を用いた全溶液処理有機Schottky接合(OSJs)を作製した。溶液処理した1,4,5,8,9,11-ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル(s HAT CN)とN アリールベンゾイミダゾール(s TPBi)は正孔と電子輸送層(HTLとETL),通常熱蒸発によって調製したとした。電力変換効率(PCE)は1.15%から1.45%に改善され,HTLとETLとして伝統的なポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン):ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT:PSS)とバソクプロイン(BCP)を用いた制御装置と比較した。はH AT CNと滑らかな表面による効率的正孔抽出に帰することができ,このようにして,s TPBi.s H AT CNの低いトラップ密度は同程度の透明性とPEDOT:PSSより高い正孔移動度を示し,溶液処理OSJsのための効率的で有望なHTLであることを証明した。蒸発と溶液処理4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン(Bphen)とTPBiにOSJ性能の依存性を比較検討した。s BphenとTPBiデバイスは両方の蒸発加工BphenとTPBiデバイスと比較して高い光電流を示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 正孔 ,  制御装置 ,  *光電流 ,  *バッファ層 ,  近赤外線 ,  蒸発 ,  ドナー
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  PEDOT:PSS ,  透明性 ,  トラップ密度 ,  電力変換効率 ,  電子輸送層 ,  *Schottky接合 ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： HATCN ,  有機Schottky接合 ,  PDPP3T ,  TPBi

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： アノード ,  カソード ,  バッファ層 ,  溶液処理 ,  TPBI ,  Schottky接合 ,  光電流