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J-GLOBAL ID：201702289041062959   整理番号：17A1109235

配向度の異なるZnOナノロッドアレイの製造と電界放出特性

Fabrication and Field Emission Properties of ZnO Nanorod Arrays with Different Orientation Degrees

著者 (9件)： CAO P. J. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  HAN S. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  WANG X. (Jilin Univ., Changchun, CHN) ,  LIU X. K. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LIU W. J. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  JIA F. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZENG Y. X. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHU D. L. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LU Y. M. (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 9  号： 4  ページ： 524-530  発行年： 2017年04月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 整列したZnOナノロッドワイヤまたはナノロッドには様々な応用があり,電界放出源として盛んに研究されている。本研究では,ZnOシード層をシリコン基板上にパルスレーザ堆積(PLD)法により形成し,その上に異なった配向度を有するZnOナノロッドを化学気相堆積(CVD)法により成長させた。そして,このZnOナノロッドの電界放出特性およびこの電界放出特性に影響を及ぼすファクタを比較した。

シソーラス用語： 度 ,  *ナノロッド ,  *配列 ,  *電界放出 ,  下層 ,  ウエハ【IC】 ,  パルスレーザ蒸着 ,  化学蒸着 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *酸化亜鉛 ,  配向 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： シード層 ,  シリコン基板 ,  *ナノロッドアレイ ,  配向度

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 配向度 ,  ZnOナノロッド ,  アレイ ,  電界放出