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J-GLOBAL ID：201702289081561826   整理番号：17A0795093

静電的にドープしたコンタクトを用いた黒リンpおよびn MOSFET【Powered by NICT】

Black Phosphorus p- and n-MOSFETs With Electrostatically Doped Contacts

著者 (2件)： Robbins Matthew C. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA) ,  Koester Steven J. (Department of Electrical and Computer Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 2  ページ： 285-288  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい装置,使用した静電的にドープしたソースとドレイン領域による単一構造における黒りん(BP)p-MOSFETとn-MOSFETを実現することであることを示した。デバイスはV_DS=0.1から1.0Vへのサブしきい値勾配だけで14%増加と共にV_DS=1.0Vで10~4以上のI_ON/I_OFFを達成した。これらの結果は,高V_DSで従来のSchottky接触BP MOSFET上のオフ状態特性のかなりの改善を示し,また新しいデバイスの実現,トンネル電界効果トランジスタのような道を開いた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ドーピング ,  *MOSFET
準シソーラス用語： トンネル電界効果トランジスタ ,  オフ状態 ,  Schottky接触 ,  サブ閾値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  コンタクト ,  黒リン ,  MOSFET