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J-GLOBAL ID：201702289128806937   整理番号：17A1563503

四元ターゲットから堆積したCu(InGa)Se_2吸収体のためのSbドーピング誘起粒成長の機構の研究【Powered by NICT】

A study on mechanisms of Sb-doping induced grain growth for Cu(InGa)Se₂ absorbers deposited from quaternary targets

著者 (11件)： Zhang Leng (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Zhuang Daming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Zhao Ming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Gong Qianming (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Guo Li (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Ouyang Liangqi (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Sun Rujun (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Wei Yaowei (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Zhan Shilu (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Lyu Xunyan (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China) ,  Peng Xiao (School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Key Laboratory for Advanced Materials Processing Technology of Ministry of Education, State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, Beijing 100084, PR China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 727  ページ： 572-578  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： の四元ターゲットから処理したCu(InGa)Se_2(CIGS)膜のSbドーピング誘起粒成長の効果を調べるために,底に堆積した,中間とCIGS層の上部にした薄い金属Sb層。SbドープCIGS粒径に及ぼす温度の影響を調べた。これらの結果は,CIGS膜の底部と中間部に組み込まれたSbはセレン化温度500°Cで膜の結晶粒径を著しく増加できることを示したが,CIGSの上に取り込まれたSbが結晶粒成長にほとんど影響した。金属Sbの相と形態変化とセレン化温度を有するSbドープMo CIGS界面の相変化を調べた。これらの結果は,金属SbはSb_2Se_3へのセレン化であることを示唆する。Sb_2Se_3が発生するとすぐに,500°Cで揮発性相に分解する可能性があるCIGS膜を通したこれらの揮発性相の移動では,粒成長が促進された。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *結晶成長 ,  結晶粒 ,  粒径 ,  相転移 ,  *吸収体 ,  揮発性 ,  結晶粒径 ,  *アンチモン ,  インタフェイス ,  *ドーピング ,  界面
準シソーラス用語： セレン化反応 ,  セレン化ガリウムインジウム銅 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： Cu(InGa)Se_2 ,  後セレン化 ,  Sbをドープした ,  大結晶粒 ,  インタフェイス ,  機構

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (10件)： ターゲット ,  堆積 ,  Cu ,  Inga ,  吸収体 ,  Sb ,  ドーピング ,  誘起 ,  粒成長 ,  研究