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J-GLOBAL ID：201702289163480679   整理番号：17A1443067

生体機能化六方晶窒化ホウ素ナノシートのためのオプトエレクトロニック特性の欠陥ベース変調【Powered by NICT】

Defect-Based Modulation of Optoelectronic Properties for Biofunctionalized Hexagonal Boron Nitride Nanosheets

著者 (3件)： Shakourian-Fard Mehdi (Department of Chemical Engineering, Birjand University of Technology, Birjand, P.O. Box 97175/569, Iran) ,  Heydari Hadiseh (Department of Chemical Engineering, Birjand University of Technology, Birjand, P.O. Box 97175/569, Iran) ,  Kamath Ganesh (Department of Chemistry, University of Missouri-Columbia, Columbia, MO, 65211, USA)
資料名： ChemPhysChem  (ChemPhysChem)
巻： 18  号： 17  ページ： 2328-2335  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1265A  ISSN： 1439-4235  CODEN： CPCHFT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥工学は,二次元材料の光電子特性の劇的なチューニングを可能にする可能性がある。DFT計算の助けを借りて,ホウ素(V_B)と窒素(V_N)単一空格子点を有する六方晶窒化ホウ素ナノフレーク(h BNNFs)上に吸着したDNA核酸塩基の系統的研究を提示した。V_NとV_B欠陥の存在は,核酸塩基の結合強度を増加させる9と34kcal/mol~ 1それぞれ(h BNNF V_B>h BNNF V_N>h BNNF)。V_B部位でより負の静電ポテンシャルはH BNNF V_Nのそれよりも反応性H BNNF V_B表面とし,核酸塩基との水素結合相互作用を可能にした。結合エネルギー差はH BNNF V_B>h BNNF V_N>h BNNFにおけるDNA表面バイオセンサの開発のための回復時間有意に影響を与える。V_BとV_N欠陥サイトの存在はH BNNF表面の電気伝導率,V_N欠陥V_Bサイトよりもより好ましいを増加した。h BNNF V_B核酸塩基錯体の吸収ピークの青方偏移,h BNNF V_N核酸塩基錯体で観察された赤方偏移とは対照的に,結合エネルギー,HOMO-LUMOエネルギーギャップおよびその他の光電子特性の観察された違いに起因した。時間依存DFT計算は単一空位窒化ホウ素シート核酸塩基複合材料は範囲300 800nmの可視光を吸収し,このようにして,発光素子に適している,可視領域における核酸塩基を感知することを明らかにした。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 複合材料 ,  青方偏移 ,  水素結合 ,  密度汎関数法 ,  エネルギーギャップ ,  可視光 ,  赤方偏移 ,  *ナノシート ,  時間依存性 ,  電気伝導率 ,  結合エネルギー ,  DNA【核酸】 ,  *窒化ホウ素 ,  バイオセンサ ,  核酸塩基

著者キーワード (5件)： ほう素と窒素空格子点 ,  ホウ素欠損窒化シート ,  密度汎関数計算 ,  核酸塩基 ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 生体機能 ,  六方晶窒化ホウ素 ,  ナノシート ,  欠陥 ,  変調