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J-GLOBAL ID：201702289292126657   整理番号：17A0551328

ヘテロ接合ナノロッドの微分伝導率(dI/dV)イメージング

Differential conductance (dI/dV) imaging of a heterojunction-nanorod

著者 (3件)： KUNDU Biswajit (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND) ,  BERA Abhijit (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND) ,  PAL Amlan J (Indian Assoc. for the Cultivation of Sci., Kolkata, IND)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 28  号： 9  ページ： 095705,1-6  発行年： 2017年03月03日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化合物半導体のバンドエッジの理解はエレクトロニック素子とオプトエレクトロニック素子設計のために重要である。本稿では,走査トンネル電子分光法により化合物半導体のヘテロ構造,すなわち,単一ナノロッド中に形成された接合のイメージングを工夫した。微分伝導率スペクトルが伝導バンドと価電子バンドエッジの位置を与えるとともに,dI/dVイメージは材料のエネルギー準位を記録した。異なる電圧におけるこのようなdI/dV画像はヘテロ接合ナノロッドのII型バンドアラインメントをもつ接合の空乏領域において重要であるpとn部を見ることを可能にした。接合部におけるバンド曲がりにより起こったヘテロ接合中の選択的部分を見ることは個々の半導体の状態密度スペクトルと相関した。異なる電圧で記録されたdI/dVイメージを用いてpn接合のバンドダイアグラムを作成した。

シソーラス用語： *ナノロッド ,  *電気伝導率 ,  *画像処理 ,  *ヘテロ接合 ,  状態密度 ,  化合物半導体 ,  微分 ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  エネルギー準位 ,  空乏層 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： バンドアライメント ,  バンドエッジ ,  バンド曲がり ,  光電子デバイス ,  走査トンネル電子分光法

分類 (4件)： 原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (6件)： ヘテロ接合 ,  ナノロッド ,  微分 ,  伝導率 ,  DI ,  イメージング