Efthymiou L. について
Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom について
Longobardi G. について
Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom について
Camuso G. について
Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom について
Chien T. について
Vishay General Semiconductor, New Taipei City 23145, Taiwan について
Chen M. について
Vishay General Semiconductor, New Taipei City 23145, Taiwan について
Udrea F. について
Department of Electrical Engineering, University of Cambridge, Cambridge CB3 0FA, United Kingdom について
Applied Physics Letters について
回路特性 について
HEMT について
電力トランジスタ について
窒化ガリウム について
電圧 について
パラメータ について
変数 について
ドーピング について
電極 について
仕事関数 について
ノーマリーオフ動作 について
GaN HEMT について
窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ について
閾値電圧 について
ターンオン電圧 について
設計パラメータ について
ゲート電極 について
トランジスタ について
半導体薄膜 について
GaN について
HEMT について
ゲート について
物理 について
最適化 について