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J-GLOBAL ID：201702289518580264   整理番号：17A1602831

CV法による抵抗率の安定性研究【JST・京大機械翻訳】

著者 (2件)： Ju Bin (中国電子科技集団公司第四十六研究所,天津,300000) ,  Chen Tao (中国電子科技集団公司第四十六研究所,天津,300000)
資料名： Keji Chuangxin yu Yingyong  (Keji Chuangxin yu Yingyong)
号： 6  ページ： 45-46  発行年： 2017年 
JST資料番号： C4005A  ISSN： 2095-2945  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 本論文では、化学蒸着(CVD)方法を用いて、平板式外延炉を利用して、5インチ<111>結晶方向、2×10-3Ω・cm重のAsドープ基板上に、N/N+型シリコンエピタキシャルシートを成長させた。実験において、水銀容量プローブ法により、金属水銀とシリコンエピタキシャル表面との接触によりショットキー障壁を形成し、障壁ポテンシャルを測定し、エピタキシャル層のキャリア濃度と抵抗率に変換し、エピタキシャル層抵抗率の測定を実現した。この過程において,我々は,H2O2浴を用いてシリコンエピタキシャル表面を処理し,10~15?を形成させた。酸化層,酸化温度,酸化反応時間,およびH2O2濃度が電気抵抗率に及ぼす影響を比較した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  酸化層 ,  ヒ素 ,  Schottky障壁 ,  酸化 ,  ドーピング ,  *電気抵抗率 ,  結晶方位 ,  水銀 ,  キャリア密度 ,  プローブ
準シソーラス用語： エピタキシャル層 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： CV ,  抵抗率 ,  安定性 ,  研究