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J-GLOBAL ID：201702289520900743   整理番号：17A1823284

Ni/a C二分子層の層交換に基づく炭素結晶化に及ぼすニッケル触媒形態の影響【Powered by NICT】

Influence of Nickel Catalyst Morphology on Layer-Exchange-Based Carbon Crystallisation of Ni/a-C Bilayers

著者 (7件)： Janke Daniel (Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Hulman Martin (Institute of Electrical Engineering SAS, Dubravska cesta 9, 84104 Bratislava, Slovakia) ,  Wenisch Robert (Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Gemming Sibylle (Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany) ,  Gemming Sibylle (Institute of Physics, TU Chemnitz, Reichenhainer Strasse 70, 09126 Chemnitz, Germany) ,  Rafaja David (Institute of Materials Science, TU Freiberg, Gustav-Zeuner-Strasse 5, 09599 Freiberg, Germany) ,  Krause Matthias (Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf, Bautzner Landstrasse 400, 01328 Dresden, Germany)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 254  号： 11  ページ： ROMBUNNO.201700234  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層交換金属誘起結晶化はSiO_2表面の三種類のPVD法で蒸着したNi/C二層スタックに適用した。層スタックはイオンビームスパッタリング,直接電流マグネトロンスパッタリングまたは高出力インパルスマグネトロンスパッタリングにより室温で堆積した。層交換度α_LEと得られた黒鉛秩序化に及ぼすNi形態の影響を原子間力顕微鏡,Rutherford後方散乱分光法およびRaman分光法によって研究した。Ni最上層の初期RMS粗さは20の因子による堆積法により変化し,0.3~6.1nmであった。700°Cまでの超高真空中でのアニーリング後,すべての試料で観察された層交換。なお,層交換程度は初期二層スタックの粗さによって影響を受けた。96%の最高値はマグネトロンスパッタした試料,最初に最も粗いNi表面よりも高い~35%は何を達成した。ラマン分光は,すべての三層スタックのための,強い2D線によって特徴づけられる,黒鉛状炭素の形成を示した。黒鉛規則化の程度は,Ni表面粗さの減少と共に増加した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： Rutherford散乱分光法 ,  *結晶化 ,  イオンビームスパッタリング ,  超高真空 ,  焼なまし ,  *ニッケル ,  Raman分光法 ,  *二分子層 ,  原子間力顕微鏡 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *炭素 ,  グラファイト ,  *ニッケル触媒
準シソーラス用語： 二層 ,  金属誘起結晶化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 炭素 ,  graphitisation ,  層交換 ,  金属誘起結晶化 ,  Raman分光法 ,  Rutherford後方散乱分光法

分類 (4件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Ni ,  二分子層 ,  層 ,  炭素 ,  結晶化 ,  ニッケル触媒 ,  形態