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J-GLOBAL ID：201702289624638288   整理番号：17A0602369

携帯電話スモールセル基地局用プラスチックパッケージGaN HEMT

著者 (5件)： 堀口健一 (三菱電機) ,  岡村篤司 (三菱電機) ,  藤原茂 (三菱電機) ,  長明健一郎 (三菱電機) ,  小坂尚希 (三菱電機)
資料名： 三菱電機技報
巻： 91  号： 5  ページ： 285-288  発行年： 2017年05月20日 
JST資料番号： F0198A  ISSN： 0369-2302  CODEN： MTDNAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 携帯電話スモールセルはマクロセル基地局から電波が届きにくい不感帯での通信を安定化させることを目的に配置される。第4世代移動通信システムでは,このような従来の利用法に加えて,マクロセル内にスモールセルを多数配置することで無線トラフィックを拡大する手法も検討されている。スモールセル基地局は建物内外の様々な箇所に設置されるために小型で低コストであることが重要視され,放熱構造の簡略化とドライバ増幅器の段数削減のためにトランジスタには高効率化と高利得化が要求される。トランジスタ製品の低コスト化へ向けた方策の1つとして,半導体チップを実装するパッケージを従来の金属製からプラスチックモールドへの置き換えが検討されている。しかし,プラスチックパッケージ品では従来の金属パッケージ品と比較して高周波特性が低下する課題があった。3.5GHz帯LTE(Long Term Evolution)スモールセル基地局向けにプラスチックパッケージを用いたGaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を開発した。入力及び出力整合を最適化することで,プラスチックパッケージ増幅器として世界最高レベルの効率及び利得特性を実現した。また,このトランジスタを用いてドハティ増幅器を構成し,DPD(Digital Pre-Distortion)ひずみ補償と組み合わせたときに周波数3.45~3.52GHzの70MHz帯域にわたってひずみ電力-50dBcの条件下でドレイン効率50%の良好な特性を得た。(著者抄録)

シソーラス用語： *携帯電話 ,  *基地局 ,  *ICパッケージ ,  *HEMT ,  範囲 ,  セル構造 ,  構造 ,  移動通信 ,  周波数特性 ,  規格 ,  電力増幅器 ,  トランジスタ ,  歪補正
準シソーラス用語： *スモールセル基地局 ,  *プラスチックパッケージ ,  *GaN HEMT ,  不感帯 ,  スモールセル ,  マクロセル構造 ,  第四世代移動通信 ,  高周波特性 ,  LTE【通信】 ,  Doherty増幅器 ,  ディジタルプリディストーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  移動通信  (ND08030H)

引用文献 (7件)：

• Therrien, R., et al.: A Comparison of AlGaN/GaN HFETs on Si Substrates in Ceramic Air Cavity and Plastic Overmold Packages, 2007 IEEE MTT-S International Microwave Symposium, 635~638 (2007)
• T1G3000532-SM Datasheet, TriQuint
• TGF3015-SM Datasheet, TriQuint
• TGF3021-SM Datasheet, TriQuint
• T2G4003532-FL Datasheet, TriQuint

タイトルに関連する用語 (5件)： 携帯電話 ,  スモールセル基地局 ,  プラスチックパッケージ ,  GaN ,  HEMT