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J-GLOBAL ID：201702289647214246   整理番号：17A0614192

グループIII-窒化物ナノワイヤ

Group III-nitride nanowires

著者 (1件)： BAO A. (Univ. Cambridge, GBR)
資料名： Materials Science and Technology  (Materials Science and Technology)
巻： 33  号： 7/8  ページ： 765-776  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0304C  ISSN： 0267-0836  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ナノワイヤの中でも,III-Vナノワイヤはオプトエレクトロニクス,エレクトロニクスおよびエレクトロメカニカルの分野で注目されている。本稿では,GaN,InGaN,AlGaNなどのグループIII-窒化物ナノワイヤの成長方法,特性,および用途についてレビューした。1)成長方法のレビュー:トップダウン法(リソグラフィー,微細加工),ボトムアップ法(触媒誘起エピタキシー,VLS成長,外因性粒子フリーエピタキシー,MBE,MOCVD)2)グループIII-窒化物ナノワイヤの特性:結晶構造,格子定数,バンドギャップ,ヘテロ構造ナノワイヤ,3)用途のレビュー:オプトエレクトロニクス(LED,UV-LED),エレクトロニクス(FET,HEMT),エレクトロメカニカル(Young率,機械的品質係数)。

シソーラス用語： 文献展望 ,  *固体素子 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *オプトエレクトロニクス ,  電子技術 ,  *結晶成長 ,  リソグラフィー ,  微細加工 ,  エピタクシー ,  VLS成長 ,  MBE成長 ,  MOCVD ,  バンドギャップ ,  結晶構造 ,  発光ダイオード ,  FET【トランジスタ】 ,  HEMT ,  ナノワイヤ
準シソーラス用語： 文献レビュー ,  固体デバイス ,  *窒化物半導体 ,  III-V族半導体 ,  *エレクトロニクス ,  エピタクシー成長 ,  LED ,  UV-LED ,  窒化ガリウムHEMT ,  機械的品質係数

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： グループ ,  窒化物 ,  ナノワイヤ