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J-GLOBAL ID：201702289678507274   整理番号：17A1108586

三次元LSI実装によるTSV近傍の応力変化とCMOS特性への影響評価

著者 (4件)： 土手暁 (富士通) ,  田代浩子 (富士通) ,  北田秀樹 (富士通) ,  作山誠樹 (富士通)
資料名： マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集  (エレクトロニクス実装学会秋季大会論文集)
巻： 27th  ページ： 319-322  発行年： 2017年08月29日 
JST資料番号： X0060A  ISSN： 2434-396X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,  三次元 ,  *バイアホール ,  高密度実装 ,  多層配線 ,  半導体 ,  金属酸化物 ,  相補性 ,  *CMOS構造 ,  *半導体集積回路 ,  *特性 ,  CMOS
準シソーラス用語： *CMOS特性 ,  *TSV【配線】 ,  *三次元LSI実装

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： LSI ,  実装 ,  TSV ,  近傍 ,  応力変化 ,  CMOS ,  影響評価