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J-GLOBAL ID：201702289772678796   整理番号：17A0591462

Heisenbergの不確定性原理,強電場,高ドープオプトエレクトロニック量子化構造と電子統計

Heisenberg’s Uncertainty Principle, Intense Electric Field, Heavily Doped Optoelectronic Quantized Structures and the Electron Statistics

著者 (6件)： MITRA M. (Univ. Coll. Sci. and Technol., Kolkata, IND) ,  SEN T.N. (Inst. Engineering and Management, Kolkata, IND) ,  DATTA T. (Inst. Engineering and Management, Kolkata, IND) ,  BHATTACHARJEE R. (Calcutta Inst. Engineering and Management, Kolkata, IND) ,  SINGH L.S.K. (National Inst. Technol., Imphal, IND) ,  GHATAK K.P. (Inst. Engineering and Management, Kolkata, IND)
資料名： Journal of Nanoscience and Nanotechnology  (Journal of Nanoscience and Nanotechnology)
巻： 17  号： 1  ページ： 256-269  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： W1351A  ISSN： 1533-4880  CODEN： JNNOAR  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルク系,量子井戸とナノ細線の系,および量子化磁場が存在する場合を含めて,強電場下で高ドープIII-V,3元および4元半導体が極端キャリア縮退の状態にある場合の電子統計を論じた。具体的に,InPに整合した高ドープInSb,InAs,Hg_1-xCd_xTe,In_1-xGa_xAs_yP_1-y格子におけるFermiエネルギーの合金組成,濃度と膜厚依存性を具体例として示した。エネルギー帯定数に依存して,Fermiエネルギーは,合金組成と膜厚の増加とともに様様な減少傾向を示した。SdH効果による量子化磁場の逆数に依存するFermiエネルギーの振動現象が見られた。またFermiエネルギーは電場の増加関数である。

シソーラス用語： *不確定性原理 ,  *量子化 ,  *電場効果 ,  *ドーピング ,  *化合物半導体 ,  *統計 ,  多成分系 ,  オプトエレクトロニクス ,  *Fermi準位 ,  *リン化インジウム ,  *格子整合 ,  アンチモン化インジウム ,  ヒ化インジウム ,  テルル化物 ,  カドミウム化合物 ,  水銀化合物 ,  濃度依存性 ,  依存性
準シソーラス用語： Heisenberg原理 ,  III-V族化合物半導体 ,  四元系 ,  *電子統計 ,  膜厚依存性

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 不確定性原理 ,  強電場 ,  量子化 ,  電子 ,  統計