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J-GLOBAL ID:201702289819267024   整理番号:17A0282964

非晶質-結晶性の層状構造を有するシリコンのナノメータ切断:分子動力学検討

Nanometric Cutting of Silicon with an Amorphous-Crystalline Layered Structure: A Molecular Dynamics Study
著者 (3件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 12:41 (WEB ONLY)  発行年: 2017年12月 
JST資料番号: U7001A  ISSN: 1931-7573  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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特定のナノメータ層を有する材料は,理論的および応用的検討の両方において大きな価値があった。ナノメータ層は,機械的負荷に対する応答に重要な影響を与えた。本稿では,シリコンの層状システムのナノメータ切断を分子動力学から検討した。非晶質層と結晶基板のよるこの種の複合構造は,ナノマシン加工にとって重要であった。ナノ切断の重要課題である材料の変形,応力の状態,チップの形成などを解析した。新しいチップ形成機構,すなわち押出とせん断の混合を観察した。さらに,工学の観点からは,いくつかの特定の複合モデルは,低い表面下損傷または大きな材料除去率により望ましい特性を示した。この結果は,切削理論を充実させ,ナノメータ加工に関するガイダンスを示した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  ,  有機けい素化合物 

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